气相沉积炉
化学气相沉积（CVD）技术是在一定的真空气氛条件下，利用加热元件发热的原理将工作管内加热到一定温度后，通入气体，气体在高温下裂解后沉积于样品表面，达到组织增密的目的；是一种材料生长或反应的新制备技术。
气相沉积炉由管式炉、温度控制柜、气体控制柜、真空控制柜和密封系统组成。

产品优点：
·  .可选配滑轨式设计，实现工作管内快速加热和快速冷却   
·   单温区或三温区加热，加热区长度：300mm、 600mm和900mm，恒温区长度: 150 mm、300mm和450mm (±1-2°C)两端堵上 
·   最高工作温度有：1200°C、1500°C和1700°C
·   提供一个宽范围的材料制备，如碳和ZnO 纳米管或纳米线以及单层石墨烯等。