等离子增强化学气相沉积炉 
等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。
等离子体增强化学气相沉积炉由管式炉、温度控制柜、等离子增强体控制柜、气体控制柜、真空控制柜和密封系统组成。
 
产品优点：
·  .与传统的CVD相比，只需较低的制备温度  
·  .可选配滑轨式设计，实现工作管内快速加热和快速冷却
·   单温区、双温区或三温区加热，加热区长度：300mm、 600mm和900mm，恒温区长度: 150 mm、300mm和450mm (±1-2°C)两端堵上 
·   最高工作温度有：1200°C、1500°C和1700°C
·   提供一个宽范围的材料制备，如碳和ZnO 纳米管或纳米线以及单层石墨烯等。